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N沟道增强型高压功率MOS场效应管 4N65 |
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●产品特点：该功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术，具有极快的开关速度、极低的栅电荷、极 |
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低的反向传输电容、最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性； |
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●应用范围： 高效AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器、PWM马达控制、高压H桥式驱动电路等； |
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●极限参数（Tc=25℃） |
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参数 |
符号 |
额定值 |
单位 |
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Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
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BitmapBitmap
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最大漏源电压 |
VDSS |
650 |
V |
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最大持续漏极电流TC=25℃ |
ID |
4 |
A |
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漏极脉冲电流 |
IDM |
16 |
A |
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栅源电压 |
VGS |
±30 |
V |
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雪崩电流 |
IAR |
4.4 |
A |
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单脉冲雪崩能量 |
EAR |
10.6 |
MJ |
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重复脉冲雪崩能量 |
EAS |
260 |
MJ |
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最大耗散功率TC=25℃ |
PD |
36 |
W |
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工作结温 |
Tj |
150 |
℃ |
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贮存温度 |
Tstg |
-55～150 |
℃ |
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●热阻 （TC=25℃） |
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参数 |
符号 |
额定值 |
单位 |
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TO-220F |
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Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
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热阻结到管壳 |
Rth（j-c） |
1.18 |
℃/W |
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热阻结到环境 |
Rth（j-a） |
62.5 |
℃/W |
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●电特性 （Tc=25℃,除非有其他的温度存在） |
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